大家好，小体来为大家解答以上的问题。大功率开关mos管的特点，常用大功率mos管工作原理介绍这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！
1、 MOS英文叫金属氧化物半导体，也就是金属氧化物半导体。具体来说，这个名字描述的是集成电路中MOS管的结构，即在具有一定结构的半导体器件中加入二氧化硅和金属，形成栅极。MOS晶体管的源漏可以切换，都是P型背栅中形成的N型区。在大多数情况下，两个区域是相同的，即使两端互换，器件的性能也不会受到影响，这样的器件被认为是对称的。
2、 分类：
3、 根据沟道材料类型和绝缘栅类型，分为N沟道和P沟道两种。按导通方式：MOS晶体管分为耗尽型和增强型，所以MOS场效应晶体管分为N沟道耗尽型和增强型；p沟道耗尽型和增强型。
4、 MOS管的工作原理——MOS管的结构特点
5、 导通时只有一个极性载流子(多载流子)参与导通，是单极晶体管。导电机理和小功率MOS管一样，但结构上有很大区别。小功率MOS管是横向导电器件，大部分功率MOSFET采用纵向导电结构，也称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和电流能力。
6、 其主要特点是金属栅和沟道之间有二氧化硅绝缘层，因此具有较高的输入电阻。当电子管开启时，在两个高浓度N扩散区间内形成一个N型导电沟道。N沟道增强型MOS晶体管必须向栅极施加正向偏置电压，只有当栅源电压大于阈值电压时，才能出现沟道导电的N沟道MOS晶体管。N沟道耗尽型MOS晶体管是指没有施加栅电压(栅源电压为零)时，沟道导电的N沟道MOS晶体管。
7、 MOS管的工作原理
8、 它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，来改变这些“感应电荷”形成的导电沟道的状态，进而达到控制漏极电流的目的。在制造管道时，通过工艺在绝缘层中出现大量的正离子，因此在界面的另一侧可以感应出更多的负电荷。这些负电荷连接高磁导率杂质的N区，形成导电沟道，即使当VGS=0时，也有大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道中感应的电荷量也改变，导电沟道的宽度也改变，因此漏极电流ID随着栅极电压的改变而改变。
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