9月5日报道，日本东北大学的研究人员最近利用溅射技术制造了碲化铌（NbTe4）材料。 据悉，这种材料具有“优异的存储和热性能”，有望用于正在制造的相变存储器，从而为业界提供更多原材料选择并降低相关成本。 该论文已在网络图书馆平台发表并存档。
通过询问了解到，相变存储器（PCM）是一种“应用相变材料作为存储介质”的存储技术。 与目前的闪存相比，相变存储器通过相变材料的固液转变来存储数据。 数据（闪存的写入速度受到电荷移动速度的限制），因此其读写速度更快，存储密度更高，功耗更低，尺寸可以更小，但成本较高制造相变存储介质过高，目前相变存储仍处于企业级，尚未发布到国内市场。
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研究人员使用溅射技术来制造这种材料。 据悉，“溅射是一种广泛使用的技术，主要是将材料的薄膜沉积到基板上，以实现对薄膜厚度和成分的精确控制。” 研究人员在 272 ℃ 以上的温度下进行退火，形成碲化铌 (NbTe4) 晶体。 这种材料具有约447℃的超低熔点，因此物理性能相对稳定，适合制造相变存储器。
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研究人员对晶体进行了评估，发现与传统的相变存储化合物相比，碲化铌（NbTe4）晶体具有更高的热稳定性，并且晶体可以相当快地转变为液态（约30纳米）。 秒），突出了其作为相变存储器原材料的潜力。
东北大学先进材料科学研究所助理教授爽声称：“我们为高性能相变存储器的发展开辟了新的可能性。NbTe4具有低熔点、高结晶温度和优异的转换性能，这是相变存储器当前面临的问题的解决方案。“应对成本挑战的‘理想材料之一’。”
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