2月17日根据媒体最新报道，ASML已经向Intel集团交付了第1台高NA EUV极紫外光刻机，这台光刻机交付之后有消息传来，该公司正在研究新一代Hyper NA光刻机，后续将会研发将会冲击0.2nm工艺，很有可能会在2036年研发成功。
交付的高NA EUV极紫外光刻机，将会用于生产2nm工艺以下的芯片制造，不久三星、台积电等一些头部厂商也会陆续接收这台光刻机，制造工艺可以直达1nm左右。
ASML公司所研发的第1代Low NA EUV光刻机，当时的口径数值只有0.33NA，临界尺寸标注13.5nm，最小的金属间距是26mm。这台机子配备了单次曝光以及双重曝光，单次曝光之下的内连接的间距是25~30mm，这种间距就比较适合制造4/5nm工艺，如果是双重曝光就可以有效缩减内连接的距离，将25~30缩小到21~24，这种就能够直接制造3nm工艺。
后续该公司在第1代Low NA EUV光刻机的基础上，又作出了调整第2代EUV光刻机的孔径数值就从原来的0.33NA，提高到了0.55NA，临界尺寸从原来的13.5 nm缩小到了8mm，而金属之间的最小距离从原来的26mm缩小到16mm，这种机子可以制造3-1nm。
该公司负责人在接受媒体采访时表示，公司已经开始研发Hyper NA技术，会在前几代的基础上继续推进各项光刻指标，据悉最新的NA数值将会超过0.7，研发结果将会在2030年左右完成，这种最新研发的EUV光刻机比较适用于制造逻辑处理器芯片，相比较第1代高NA双重曝光技术使用成本会更低，根据现在所披露的数据显示低NA光刻机的研发成本至少在1.83亿美元左右，而公司所研发的高NA光刻机的研发成本达到3.8亿美元起步。
后续公司也会将研发工艺继续往后推进，在2036年将会冲击0.2mm工艺。