美光在下周于加利福尼亚举行的闪存峰会之前宣布了其下一代 232 层 NAND 。232 层 NAND 包含业界最快的 NAND I/O 速度 2.4 GB/s，是世界上密度最高的 NAND。闪存三层单元 (TLC) 密度为 14.6 Gb/mm2，比竞争 TLC 产品的密度高 35% 至 100%。
美光的新型 NAND 包括最高层数、最多每平方毫米位数和最快的 I/O 速度。它建立在美光之前的 176 层 NAND 之上，而新的 232 层 NAND 非常适合各种应用，包括消费产品、移动设备等。该设备承诺将写入带宽提高 100%，读取带宽提高 75% 以上，并将传输速率提高 50% 至 2.4 GB/s(ONFI 总线)。这种性能以小 28% 的封装形式提供。由于 232 层 NAND 比其前身小 28%，因此非常适合轻薄笔记本电脑设计。同样，空间受限和功耗敏感的移动设备也可以使用新的 NAND。新的 232 层 3D NAND 已经在选定的 Crucial 品牌 SSD 上发货，基于该技术的其他产品将于今年晚些时候发货。
美光写道，“这种率先上市的 232 层技术代表了美光第六代 NAND 进入大批量生产的阶段。突破性的高层数以及 CuA(阵列下 CMOS)技术使我们能够以非常小的占用空间提供高达每芯片 1 TB 的巨大存储容量。因此，232 层 NAND 设备的单位面积位密度比之前的 176 层设备高 45% 以上，能力提升惊人!密度的增加还可以改进封装形式，例如新的 11.5mm x 13.5mm 封装，它比上一代芯片的封装小 28%。这一切意味着现在可以为更多类型的设备配备大容量、高性能的存储设备。
232L NAND 包含一对 116 层的卡座。这是美光首次生产超过 100 层的单层板。232L NAND 具有更多的卡座数量和更高的密度，是美光首款 1Tbit TLC 芯片。这意味着美光可以通过堆叠 16 个 232L 裸片来生产 2TB 芯片封装。
构建新的 3D NAND 闪存并不像简单地添加更多层那么简单。美光写道，“这些设备的制造可能具有挑战性，需要数百个单独的工艺才能将原始晶圆加工成完整的管芯或芯片。” 该过程中最具挑战性的部分是在保持均匀性的同时将层堆叠得更高。
“美光的 232 层 NAND 是存储创新的分水岭，它首次证明了在生产中将 3D NAND 扩展到超过 200 层的能力，”美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 说。“这项突破性技术需要广泛的创新，包括创建高纵横比结构的先进工艺能力、新型材料的进步和基于我们市场领先的 176 层 NAND 技术的领先设计增强。”